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J-GLOBAL ID：200903067101011286

薄膜EL素子

Inventor： 山田 羊治
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994024628
Publication number (International publication number)：1995235381
Application date： Feb. 23, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】輝度・製品寿命を向上し、絶縁破壊が少なく、CRTと同等の白色発光が得られる薄膜EL素子を得る。【構成】耐熱基板1上に金属電極2、第1絶縁層3、発光層4を順次積層し、発光層4を第2絶縁層5で被覆しその上に透明電極6を形成してなる薄膜EL素子において、前記金属電極2は少なくとも2層からなり耐熱基板1上に形成する第1金属電極2aの反射率は60%以下であり、第1金属電極2aの上に形成する第2金属電極2bの反射率は60ないし85%以上であることとする。

Claim (excerpt)：

耐熱基板上に金属電極、第1絶縁層、発光層を順次積層し、発光層を第2絶縁層で被覆しその上に透明電極を形成してなる薄膜EL素子において、前記金属電極は少なくとも2層からなり耐熱基板上に形成する第1金属電極の反射率は60%以下であり、第1金属電極の上に形成する第2金属電極の反射率は60ないし85%以上であることを特徴とする薄膜EL素子。