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J-GLOBAL ID：200903067101253891

常圧プラズマを用いた酸化ケイ素の連続成膜法

Inventor： 中村 秀
Applicant, Patent owner： 積水化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002150940
Publication number (International publication number)：2003347295
Application date： May. 24, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】 常圧プラズマを用いて酸化ケイ素膜を形成するにあたって、成膜後の経時的な膜厚変化が少なく、熱処理などによる後処理が必要のない安定した酸化ケイ素の連続成膜法の提供。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下、下記一般式(1)で表される原料ガスを含む混合ガスの放電プラズマ処理を行うことを特徴とする酸化ケイ素の連続成膜法及び積層連続成膜法。SiRn(OR)4-n ...(1)(式中、Rは炭素数1〜6のアルキル基、アセチル基、アシル基、フェニル基、またはナフチル基を表し、nは2〜3の整数を表す。)。

Claim (excerpt)：

大気圧近傍の圧力下、下記一般式(1)で表される原料ガスを含む混合ガスの放電プラズマ処理を行うことを特徴とする酸化ケイ素の連続成膜法。SiRn(OR)4-n ...(1)(式中、Rは炭素数1〜6のアルキル基、アセチル基、アシル基、フェニル基、またはナフチル基を表し、nは2〜3の整数を表す。)

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 C

F-Term (27)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA44 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA09 ,  4K030KA14 ,  4K030KA46 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AB34 ,  5F045AC07 ,  5F045AE29 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045DC51 ,  5F045DP21 ,  5F045DQ16 ,  5F045EH14 ,  5F058BC02 ,  5F058BD01 ,  5F058BD03 ,  5F058BF03 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29