Pat

J-GLOBAL ID：200903067120578092

TiN-CVD用ガス導入法およびガス導入機構

Inventor： 深川 渡
Applicant, Patent owner： 日電アネルバ株式会社
Agent (1)： 鈴木 正次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993069255
Publication number (International publication number)：1994256953
Application date： Mar. 04, 1993
Publication date： Sep. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 不純物の析出が無く、また基板上に均一に成膜が可能なTiN-CVD用ガス導入法およびガス導入機構を提供することを目的としている。【構成】 チタン化合物からなる反応ガスおよび窒素化合物からなる反応ガスを、反応容器外部から、基板8と対向させたガス噴出器3まで分離して導入し、かつ、チタン化合物からなる反応ガスは露点温度より高い温度に保温するようにする。この方法を実施する為のガス導入機構は、反応容器外の反応ガス源と、反応容器内に基板8と対向させて設置したガス噴出器8を二重管(内側管1と外側管2で構成)を通して接続してあり、二重管の内側管1にシースヒータ7を巻き付けて構成する。

Claim (excerpt)：

反応ガスであるチタン化合物と窒素化合物を移送し、両反応ガスを基板の近くで混合し、基板上でCVD反応を生じさせてTiN薄膜を得るCVD法のガス導入法において、前記反応ガスを反応容器外部から基板と対向させたガス噴出器まで分離して導入し、かつチタン化合物からなる反応ガスは露点温度より高い温度に保温するようにしたことを特徴とするTiN-CVD用ガス導入法。

IPC (2)：

C23C 16/34 ,  C23C 16/44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• メダル投入装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-154509   Applicant：共和技研株式会社