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J-GLOBAL ID：200903067120893290
半導体装置とその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991222823
Publication number (International publication number)：1993062836
Application date： Sep. 03, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 インダクタ線路の幅をそのままにして低抵抗のスパイラル・インダクタを得る。【構成】 長方形または正方形または円形の凹部2を半導体基板1の一主面上に所要深さに形成し、この凹部2内にインダクタ線路3を形成することにより、厚みの厚いインダクタ線路3を形成できるようにしたことを特徴としている。
Claim (excerpt)：
半導体基板の一主面上に所要深さの長方形または正方形または円形の凹部を形成し、この凹部内にスパイラル状のインダクタ線路を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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