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J-GLOBAL ID：200903067129411450

半導体レーザ素子及びその作製方法

Inventor：
根本 和彦

About 根本 和彦


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999187760
Publication number (International publication number)：2001015851
Application date： Jul. 01, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 電流狭窄効果、電流閉じ込め効果、光閉じ込め効果等を有し、しかもサージ耐圧が高く、取扱い易い半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本半導体レーザ素子50は、n型基板51上に、順次、エピタキシャル成長させた、n型バッファ層52、n型クラッド層53、活性層54、p型クラッド層55、p型中間層56、及びp型sキャップ層57の積層構造を備える。p型クラッド層の上部、p型中間層及びp型キャップ層は、ストライプ部58として形成され、電流注入領域となっている。p側電極59として、p型クラッド層55上からp型キャップ層57上を延在し、次いでp型クラッド層55上に達するp型キャップ層57を跨がった形状のTi/Pt/Auの多層金属膜が形成されている。p側電極59が、オーミック接触している第1の電極部59aと、ショットキー接触している第2の電極部59bとから構成されている。
Claim (excerpt)：
化合物半導体の積層構造上に設けられた、金属膜からなる電極が、積層構造の最上層とオーミック接触する第1の電極部と、積層構造のキャリア濃度の低い層とショットキー接触する第2の電極部とから構成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 5/042 ,  H01S 5/22
FI (2)：
H01S 3/18 624 ,  H01S 3/18 662
F-Term (7)：
5F073AA03 ,  5F073AA61 ,  5F073AA89 ,  5F073CA14 ,  5F073CB10 ,  5F073CB22 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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