窒化アルミニウム基材を用いた半導体装置用部材及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本正緒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996336830
Publication number (International publication number)：1997275166
Application date： Dec. 17, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体素子やリードフレーム等をAlN基材に実装する際に、従来のロウ付けや酸化銅共晶を用いた接合で発生していた基材の破損変形をなくし、高強度で接合された信頼性の高い半導体装置用部材を提供する。【解決手段】 AlN基材1上に、該基材1側から順に、主にWやMo等の高融点金属からなる高融点金属化層2と、融点が1000°C以下でNi、Cu、Feの少なくとも1種を主成分とする金属介在層3とを備え、金属介在層3上に銅を主体とする導体層4がロウ材層を介さず直接接合されている。この半導体装置用の部材5に、半導体素子8等を実装搭載して半導体装置とする。

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウム基材上に、該基材側から順に設けた、主に高融点金属からなる高融点金属化層と、融点が1000°C以下でニッケル、銅、鉄の少なくとも1種を主成分とする金属介在層とを備え、該金属介在層上に銅を主体とする導体層が接合されていることを特徴とする半導体装置用部材。

IPC (3)：

H01L 23/15 , C04B 37/02 , H05K 1/09

FI (3)：

H01L 23/14 C , C04B 37/02 B , H05K 1/09 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭58-048926
特開平2-046750
電子部品実装窒化アルミニウム基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-319278 Applicant：徳山曹達株式会社

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