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J-GLOBAL ID：200903067140339175

半導体装置の製造方法及び成膜装置

Inventor： 吉田 友幸 ,  橋本 昭二 ,  細川 秀記 ,  大脇 健史 ,  光嶋 康一 ,  多賀 康訓
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996179173
Publication number (International publication number)：1998041383
Application date： Jul. 09, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置の配線層のエレクトロマイグレーション耐性の向上を図るとともに配線のパターニング精度向上を図る。【解決手段】 純水中で煮沸処理(15分〜3時間)等を行うことによりBPSG膜13の表面に吸湿層を形成し、その後BPSG膜13にコンタクトホール12を形成し、BPSG膜13及びコンタクトホール12上にTi膜14、TiN膜15、16、Ti膜17を順次堆積する。更に、Ti膜17上に高温スパッタ法によりAl合金膜18を堆積する。他の製造方法では、煮沸処理することなくBPSG膜13にコンタクトホール12を形成し、その後、Ti膜14、又はTi膜14及びTiN膜15の成膜時に、水を導入し、成膜装置のチャンバ内のH2 O分圧を1×10-8〜1×10-7Torrの範囲に制御する。これにより、配線層としてのAl合金層の(111)配向性を高く、またその表面平滑性の向上が可能となる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成されたチタン膜と、前記チタン膜上に形成された窒化チタン膜と、前記窒化チタン膜上に形成されたアルミ配線層とを有する半導体装置の製造方法であって、前記チタン膜又は前記チタン膜及び前記窒化チタン膜の成膜前、又は成膜中、若しくは成膜前及び成膜中において、H2 Oを含む気相又は液相雰囲気に前記半導体装置を曝すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/95