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J-GLOBAL ID：200903067142870463

スパッタリングターゲットおよびその製造方法

Inventor： 榊原 正彦 ,  田中 清巳 ,  荻野 邦之
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Agent (1)： 大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993119546
Publication number (International publication number)：1994330302
Application date： May. 21, 1993
Publication date： Nov. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、膜の組成のばらつきを低減し得る均一な成分のターゲットを提供することを目的とする。【構成】 基体と、基体の厚さ方向に延在し、一部が基体表面に露出した埋設体からなるスパッタリングターゲット。

Claim (excerpt)：

基体と、基体の厚さ方向に延在し、一部が基体表面に露出した埋設体からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  B22D 19/00