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J-GLOBAL ID：200903067145765105

半導体レーザ

Inventor： 豊中 隆司 ,  佐川 みすず ,  平本 清久 ,  土屋 朋信 ,  篠田 和典
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994167673
Publication number (International publication number)：1996032173
Application date： Jul. 20, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】高い光出力でも安定な単一横モードで発振し、高信頼性を有する半導体レーザを提供する。【構成】InGaAs歪量子井戸活性層とクラッド層を有する半導体レーザで、ストライプ部全体の実効屈折率が、上記ストライプ部の両側部分全体の実効屈折率より0.1%以上0.3%未満大きく、また上記ストライプ部の幅が4μm以下である。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に、少なくともInGaAs量子井戸層を含む超格子構造からなる活性層と、上記活性層の上層および下層に上記GaAs基板に格子整合するIn<SB>1-x</SB>Ga<SB>x</SB>As<SB>y</SB>P<SB>1-y</SB>(但し0≦y<1)クラッド層を有する波長0.9〜1.1μm帯の半導体レーザにおいて、上記活性層を光が伝搬する方向に沿ってストライプ状に周囲より屈折率の大きい高屈折率領域を有し、上記高屈折率領域を含み、上記GaAs基板に垂直な面で囲まれたストライプ部の全体の実効屈折率が、上記ストライプ部の両側にある上記高屈折率領域を含まない部分全体の実効屈折率より0.1%以上0.3%未満大きく、また上記ストライプ部の幅が4μm以下であることを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 歪量子井戸半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-070599   Applicant：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社