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J-GLOBAL ID：200903067150158900

薄膜形成装置および形成方法

Inventor： 飯島 晋平 ,  菅原 安浩
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993249074
Publication number (International publication number)：1995106322
Application date： Oct. 05, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【構成】Taソースが被処理基板に到達するまでの、反応管内も含む全領域において低温領域が生じないように構成した。【効果】低温領域がないのでTaソースの凝縮液化を防止することができ、異物の発生や再現性の低下を抑えることなどが可能となって、信頼性の高いTa酸化膜を得ることができ、それを用いるLSIの歩留を向上できる。

Claim (excerpt)：

被処理基板搬送機構,真空排気機構,ガス流量制御導入機構、および反応炉を備えた横型電気炉方式薄膜形成装置において、前記反応炉に導入した有機タンタルソースガスが前記反応炉内において凝縮液化することを防止する手段を設けたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (6)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (3)：

H01L 21/31 B ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J