Pat

J-GLOBAL ID：200903067176236631

磁気トンネル接合装置及び磁気抵抗読取りヘッド

Inventor： ロバート・エドワード・フォンタナ、ジュニア ,  スチュアート・ステファン・パップウオース・パーキン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997277705
Publication number (International publication number)：1998162327
Application date： Oct. 09, 1997
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 記録媒体からの磁界に直線的に応答する磁気抵抗(MR)読取りヘッドとして機能できる磁気トンネル接合(MTJ)装置の提供。【解決手段】 MTJ装置は、反強磁性層116と、印加磁界182の存在でも磁気モーメントが回転できないように反強磁性層と交換バイアスした固定強磁性層118と、固定強磁性層に接する絶縁トンネル障壁層120と、印加磁界の存在で回転自由な磁気モーメントを有する検出強磁性層132からなる。各々の層は平行な側面エッジを有する矩形形状であり、検出強磁性層の磁気モーメントは静磁気学的に接続したバイアス強磁性層150により印加磁界の不存在下で長手方向にバイアスされる。絶縁層160は、検出電流の分流を防止し、MTJMRヘッドの抵抗に悪影響を与えずに、バイアス強磁性層と検出強磁性層を静磁結合する

Claim (excerpt)：

内蔵の電気抵抗の変化を検出する検出回路に接続するための磁気トンネル接合装置において、基板と、上記基板上に形成した第一導電リードと、上記第一導電リード上に形成し、印加磁界の存在なしで望ましい方向に固定した磁気モーメントを有する固定強磁性層と、その固定強磁性層に接した絶縁トンネル障壁層と、その絶縁トンネル障壁層に接し、ほぼ矩形形状をして2つの反対側のエッジを有する検出強磁性層とを有する、上記第一リード上に形成した磁気トンネル接合スタックと、上記時期トンネル接合スタックに接触し、かつ該スタック上に形成した第二導電リードと、上記検出強磁性層の側面エッジから離され、上記スタックの対向する側面上の上記基板上に形成したバイアス強磁性層であり、印加磁界の存在なしで該バイアス強磁性層のモーメントとほぼ同じ方向に上記検出強磁性層の磁気モーメントをバイアスするための磁気モーメントを有する、バイアス強磁性層と、上記バイアス強磁性層と上記検出強磁性層を、該検出強磁性層の側面エッジで互いに接触状態から分離する電気絶縁層とを有し、よって、上記複数の導電リードを上記検出回路に接続させると、上記スタックの層を直交して電流が流れるための電気抵抗が上記固定および検出強磁性層の相対的磁気モーメントにより決定され、また検出電流は上記絶縁層によって上記バイアス強磁性層に分流するのを防止されることを特徴とする、磁気トンネル接合装置。