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J-GLOBAL ID：200903067181978840

単結晶の製造方法

Inventor： 照井 良典 ,  寺崎 隆一
Applicant, Patent owner： 電気化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992154118
Publication number (International publication number)：1993319983
Application date： May. 22, 1992
Publication date： Dec. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 基板上の所望の位置に対応して形状が良好な単結晶の製造方法を提供する。【構成】 単結晶基板上の所望の位置に、前記単結晶基板と合金を形成する金属層または基板より融点の低い金属層のパターン部を形成する。このパターン部を周囲より凸状に加工した後、前記単結晶を構成する元素を含有するガス雰囲気内で前記金属層により形成される液滴内に単結晶元素をとり込み前記単結晶基板上のパターン部に対応した良好な単結晶を形成する。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上の所望の位置に、前記単結晶と合金を形成する金属層又は前記単結晶よりも融点の低い金属層のパターン部を形成した後、前記パターン部を周囲より凸状に加工した後、前記単結晶を構成する元素を含む原料ガス雰囲気内で、前記パターン部の金属層により形成される液滴内に、前記単結晶を構成する元素をとり込み前記単結晶基板上に単結晶を成長させる方法であって、前記金属層を形成したパターン部に対応した単結晶を成長させることを特徴とする単結晶の製造方法。