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J-GLOBAL ID：200903067182194762
シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001161833
Publication number (International publication number)：2002353282
Application date： May. 30, 2001
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：
【要約】【課題】 シリコン単結晶ウェーハの抵抗率によらず、かつ、地球環境を汚染することもなく、低濃度、特に2x1014/cm3以下の窒素濃度も評価することができるシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法を提供する。【解決手段】 シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度を、該ウェーハのグローンイン欠陥に係る欠陥特性(密度、サイズ、形状等)に基づいて決定することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法。熱処理後のグローンイン欠陥やBMDに係る欠陥特性に基づいて決定することもでき、また、エピタキシャルウェーハに対しては、シリコン単結晶ウェーハのグローンイン欠陥、BMDのほか、エピタキシャル層の欠陥(エピ積層欠陥や転位ループ)の欠陥特性に基づいて評価することもできる。
Claim (excerpt)：
シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度を、該ウェーハのグローンイン欠陥に係る欠陥特性に基づいて決定することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/66 N
, G01N 21/00 B
2G059AA01
, 2G059BB16
, 2G059CC02
, 2G059DD11
, 2G059EE02
, 2G059EE09
, 2G059GG01
, 2G059HH01
, 4M106AA01
, 4M106BA05
, 4M106CB03
, 4M106CB19
Cited by examiner (7)
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