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J-GLOBAL ID：200903067183327677

薄膜半導体装置の製造方法

Inventor：
金谷 康弘

About 金谷 康弘


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995174206
Publication number (International publication number)：1997008316
Application date： Jun. 16, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：
【要約】【目的】 レーザアニールの雰囲気を改善してレーザアニール装置のコストダウン、レーザ光学系の長寿命化、及び絶縁基板上への異物付着防止を図る。【構成】 薄膜半導体装置は絶縁基板2に半導体薄膜を形成する成膜工程と、この半導体薄膜を活性層として薄膜トランジスタを集積形成する加工工程を経て製造される。この際、加工工程の前後又は中間で半導体薄膜にレーザ光3を照射して加熱処理を行なう。この照射工程は不活性気体を主成分とする雰囲気下でレーザ光3を照射する事を特徴とする。例えば、大気圧以上の圧力で窒素ガス等の不活性気体が満たされたチャンバ1-1に絶縁基板2を投入してレーザ光3を外部から照射する。
Claim (excerpt)：
絶縁基板に半導体薄膜を形成する成膜工程と、該半導体薄膜を活性層として薄膜トランジスタを集積形成する加工工程と、該加工工程の前後又は中間で該半導体薄膜にレーザ光を照射して加熱処理を行なう照射工程とを含む薄膜半導体装置の製造方法であって、前記照射工程は、不活性気体を主成分とする雰囲気下でレーザ光を照射する事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12
FI (4)：
H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (20)
  • 特開平4-286318
  • 特開平3-060015
  • 特開平3-190121
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