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J-GLOBAL ID：200903067201099032

III族窒化物基板の製造方法および半導体装置

Inventor： 北岡 康夫 ,  峯本 尚 ,  木戸口 勲 ,  石橋 明彦
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003011571
Publication number (International publication number)：2004224600
Application date： Jan. 20, 2003
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：

【課題】安価で良質なIII族窒化物基板を製造することが可能な製造方法、およびそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】基板上に、組成式AluGavIn1-u-vN(ただし、0≦u≦1、0≦v≦1である。)で表される半導体層(種結晶層102)を形成する工程と、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に上記半導体層の表面を接触させることによって、III族元素と窒素とを反応させて上記半導体層上にIII族窒化物結晶(GaN結晶103)を成長させる工程と、上記III族窒化物結晶を熱処理する工程とを含む。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

(i)基板上に、組成式AluGavIn1-u-vN(ただし、0≦u≦1、0≦v≦1である。)で表される半導体層を形成する工程と、 (ii)窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に前記半導体層の表面を接触させることによって、前記少なくとも1つのIII族元素と窒素とを反応させて前記半導体層上にIII族窒化物結晶を成長させる工程と、 (iii)前記III族窒化物結晶を熱処理する工程とを含むIII族窒化物基板の製造方法。

IPC (4)：

C30B29/38 ,  H01L21/208 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

FI (4)：

C30B29/38 D ,  H01L21/208 D ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

F-Term (43)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EF03 ,  4G077FE02 ,  4G077FE11 ,  4G077FG05 ,  4G077QA04 ,  4G077QA26 ,  4G077QA34 ,  4G077QA74 ,  5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041AA43 ,  5F041CA40 ,  5F041CA63 ,  5F041CA73 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F053AA03 ,  5F053AA44 ,  5F053AA48 ,  5F053BB04 ,  5F053BB08 ,  5F053BB12 ,  5F053BB24 ,  5F053BB27 ,  5F053DD20 ,  5F053LL03 ,  5F053RR03 ,  5F073AA74 ,  5F073CA01 ,  5F073CB02 ,  5F073CB13 ,  5F073DA02 ,  5F073DA16 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28