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J-GLOBAL ID：200903067207746161

半導体発光装置の製造方法

Inventor： 後藤 広将 ,  今井 秀秋
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992004719
Publication number (International publication number)：1993190900
Application date： Jan. 14, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ドライエッチング法により窒化物系半導体を用いた発光装置の製造方法を提供すること【構成】真空中において3μm以下の膜厚でn型層およびi型層あるいはp型層の窒化物系半導体からなる発光層を形成し、リソグラフィー工程をドライエッチング法で行い発光装置を製造する。【効果】 リソグラフィー工程にドライエッチング法を用いることにより、膜厚が1μm以下において良好なダイオード特性を示し、青色の発光を有する半導体発光装置の製造方法を可能にした。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくとも1種類のIII族元素を含む窒化物系半導体からなるn型層とi型層またはp型層を具備してなる発光層を形成する工程、該発光層の所要の部位をドライエッチングする工程、ドライエッチング後に該発光層を熱処理する工程、および該発光層の所要の部位に少なくとも2つ以上の電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/302