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J-GLOBAL ID：200903067210422130
炭素クラスター誘導体
Inventor：
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,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
今村 正純 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996328318
Publication number (International publication number)：1998167994
Application date： Dec. 09, 1996
Publication date： Jun. 23, 1998
Summary：
【要約】【解決手段】 下記の式(I)(式中、Phは置換又は無置換の同一のフェニル基を示し、分子はフラーレン構造を含む分子の概念図である)で表されるシクロペンタジエニドイオンからなるη5 型シクロペンタジエニル配位子及び該配位子を含む金属錯体(例えば、中心金属はLi、K 、Tl(I) 、Cu(I) 、及びSm(III) からなる群から選ばれる)、並びに該配位子及び該金属錯体の製造方法。【化1】【効果】 種々の金属に対して配位可能な新規な配位子が提供される。該配位子を含む金属錯体は、エチレン重合触媒などの有機反応用触媒として用いることができる。
Claim (excerpt)：
下記の式(I):【化1】(式中、Phは置換又は無置換の同一のフェニル基を示す)で表されるシクロペンタジエニドイオンからなるη5 型シクロペンタジエニル配位子。
IPC (6)：
C07C 13/64
, C07F 1/02
, C07F 1/04
, C07F 1/08
, C07F 5/00
, C08F 4/642
C07C 13/64
, C07F 1/02
, C07F 1/04
, C07F 1/08 A
, C07F 5/00 D
, C07F 5/00 K
, C08F 4/642
