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J-GLOBAL ID：200903067213967536
TFTアレイのエッチング加工方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992028141
Publication number (International publication number)：1993226653
Application date： Feb. 14, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：
【要約】【目的】この発明は、金属膜および半導体膜と他の絶縁膜との十分な選択比が得られ、成膜工程,エッチング装置に固有と考えられていた局部的な特性ムラが解消され、画質が大幅に改良出来たTFTアレイのエッチング加工方法を提供することを目的とする。【構成】この発明のTFTアレイのエッチング加工方法は、プラズマ中で弗素イオン又は弗素ラジカルを形成するガスと、組成の中に酸素又はNxOyで示されるガスを少なくとも有する混合ガスのプラズマを用いてエッチングを行なうことを特徴とし、上記の目的を達成することが出来る。
Claim (excerpt)：
プラズマ中で弗素イオン又は弗素ラジカルを形成するガスと、組成の中に酸素又はNxOyで示されるガスを少なくとも有する混合ガスのプラズマを用いてエッチングを行なうことを特徴とするTFTアレイのエッチング加工方法。
IPC (3)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 21/302
