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J-GLOBAL ID:200903067228335048
光電変換方法および光電変換素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995067454
Publication number (International publication number):1996264821
Application date: Mar. 27, 1995
Publication date: Oct. 11, 1996
Summary:
【要約】【目的】 光が入射する側の金属電極上にも表面プラズモンを励起させて変換効率を高める。【構成】 入射したHe-Neレーザー光Lは、半円柱レンズ5で屈折させられて所要の角度で弗化マグネシウム層4に入射する。これによって弗化マグネシウム層4とAl電極2との界面に表面プラズモンを励起し、この表面プラズモンが銅フタロシアニン層1で吸収され、光電流がAl電極2とAg電極3の間に得られる構成を特徴としている。
Claim (excerpt):
入射光を光行路変更層を通して所要の角度で前記入射光の波長の半分程度の厚みで前記光行路変更層より低い屈折率の光透過層に入射してこの光透過層と密着する金属電極との界面に表面プラズモンを励起させ、この表面プラズモンを光吸収層に入射して光電流を得ることを特徴とする光電変換方法。
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