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J-GLOBAL ID：200903067229315636
薄膜形成法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993199096
Publication number (International publication number)：1995034249
Application date： Jul. 15, 1993
Publication date： Feb. 03, 1995
Summary：
【要約】【目的】 多成分系よりなるセラミック薄膜の膜組成の制御が容易でしかも精度のよい薄膜形成法を提供する。【構成】 CVD装置Aにより、PbTiO3の構成元素のうちPbとOからなるPbO薄膜を所定時間原子一層分基板3上に形成する。PbO薄膜の形成後に、形成されたPbO薄膜上に残りの構成元素であるTiとOからなるTiO2薄膜をTi原子一層分形成する。この操作をくり返すことによりPbTiO3薄膜を形成する。
Claim (excerpt)：
多成分系の薄膜を形成する薄膜形成法であって、前記薄膜を形成する工程は複数の成膜工程からなり、前記薄膜の構成元素のうちの一部の元素の組からなる膜を形成する少なくとも1回の成膜工程を有することを特徴とする薄膜形成法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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