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J-GLOBAL ID：200903067232409390

半導体素子の製造方法

Inventor： 小暮 智也
Applicant, Patent owner： オムロン株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999119746
Publication number (International publication number)：2000311961
Application date： Apr. 27, 1999
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 寸法精度が高く安価に製造できるに半導体素子の製造方法を提供することにある。【解決手段】 ベースウェハ10およびキャップウェハ40の対向面のいずれか一方に、位置決め突部17bを設けた。

Claim (excerpt)：

上面に半導体素子を設けたベースウェハに、下面に環状のガラスフリットを形成したキャップウェハを接着一体化し、前記半導体素子を密封した半導体素子の製造方法において、前記ベースウェハおよび前記キャップウェハの対向面のいずれか一方に、少なくとも1つの位置決め突部を設けたことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 23/02 ,  H01H 59/00 ,  H01L 23/04

FI (3)：

H01L 23/02 J ,  H01H 59/00 ,  H01L 23/04 D