Pat

J-GLOBAL ID：200903067249884270

暗化防止CCD素子

Inventor： 福元 宏司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 猪股 祥晃
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993242997
Publication number (International publication number)：1995106541
Application date： Sep. 29, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】CCD素子のオプティカルブラック領域に設ける遮光膜に非導電性材料を使用して、放射線環境下での暗電流増加を防止した暗化防止CCD素子を提供する。【構成】暗化防止CCD素子18は、p型半導体基板13の表面に形成した絶縁層14上に配置された複数の電極15およびフォトダイオード17と、映像信号の黒レベルを決めるオプティカルブラック領域23とするために前記電極15の一部を遮光膜24により遮光したCCD素子において、前記遮光膜24を非導電性材料としたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

p型半導体基板の表面に形成した絶縁層上に配置された複数の電極およびフォトダイオードと、映像信号の黒レベルを決めるオプティカルブラック領域とするために前記電極の一部を遮光膜により遮光したCCD素子において、前記遮光膜を非導電性材料としたことを特徴とする暗化防止CCD素子。