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J-GLOBAL ID：200903067270035291

半導体装置

Inventor： 朝長 透
Applicant, Patent owner： 東芝ケミカル株式会社
Agent (1)： 諸田 英二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994159127
Publication number (International publication number)：1996008242
Application date： Jun. 17, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【構成】 本発明は、半導体素子(1) 表面に、直接または他の絶縁層(5) を介して、(A)次の一般式で示され、R1 およびR2 のうち少なくとも25モル%以上が芳香族環を含むポリイミド樹脂溶液、(B)トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸塩のような光分解性プロトン発生剤および(C)1,4-ビス(アセトキシメチル)ベンゼンのような多官能潜在親電子剤を必須成分とする感光性樹脂組成物の絶縁層(6) を設けた半導体装置である。【効果】 本発明の半導体装置は、高感度、解像性に優れた特定の感光性樹脂組成物を絶縁膜として用いることにより、簡易かつ安全なプロセスによって、信頼性の高い装置を製造することができるものである。

Claim (excerpt)：

半導体素子の表面に、直接または他の絶縁層を介して、(A)次の一般式で示されるポリイミド樹脂の溶液、【化1】(但し、式中、R1 は 4価の酸成分残基を、R2 は 2価のジアミン成分残基を、n は1 以上の整数をそれぞれ表し、R1 およびR2 のうち少なくとも25モル%以上の残基が芳香族環を含む)(B)光分解性プロトン発生剤および(C)多官能潜在性親電子剤を必須成分としてなる感光性樹脂組成物により形成した絶縁層を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/312 ,  C08L 79/08 LRB ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 504 ,  H01L 21/027 ,  H05K 3/06