Pat

J-GLOBAL ID：200903067295035679

光導波路部品、光学部品、光導波路部品の製造方法および周期分極反転構造の製造方法

Inventor： 水内 公典 ,  山本 和久 ,  川口 竜生 ,  吉野 隆史 ,  今枝 美能留
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社 ,  日本碍子株式会社
Agent (2)： 杉村 暁秀 (外8名) ,  杉村 暁秀 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997052679
Publication number (International publication number)：1998003100
Application date： Mar. 07, 1997
Publication date： Jan. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】強誘電体光学単結晶基板上に周期分極反転構造等を構成するのに際して、その耐光損傷性を向上させ、この際に強誘電体光学単結晶基板等の基材へのダメージを減少させ、加工後の基材の結晶性を向上させて、周期分極反転構造等の光導波構造の耐光損傷性や出力を向上させる。【解決手段】凹凸加工が施され、かつ単分域処理された強誘電体光学単結晶基板1の少なくとも各凹部内に、強誘電体光学単結晶膜4を液相エピタキシャル成長させる。この際膜4の液相エピタキシャル成長温度よりも、この膜4のキュリー温度の方を低くし、膜4の液相エピタキシャル成長温度よりも、基板1のキュリー温度の方を高くし、膜4を基板1とは反対方向に分極させる。

Claim (excerpt)：

単分域処理された強誘電体光学単結晶基板と、この強誘電体光学単結晶基板上に液相エピタキシャル成長された強誘電体光学単結晶膜とを備えている光導波路部品であって、前記強誘電体光学単結晶基板に凹凸加工が施されており、少なくとも各凹部内に前記強誘電体光学単結晶膜が形成されており、この強誘電体光学単結晶膜が前記強誘電体光学単結晶基板とは反対方向に分極しており、前記強誘電体光学単結晶膜の液相エピタキシャル成長温度よりもこの強誘電体光学単結晶膜のキュリー温度の方が低く、かつ前記強誘電体光学単結晶膜の液相エピタキシャル成長温度よりも前記強誘電体光学単結晶基板のキュリー温度の方が高いことを特徴とする、光導波路部品。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-104233
  
• 特開平4-104232
  
• 単結晶基板品の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-222087   Applicant：日本碍子株式会社