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J-GLOBAL ID：200903067320969045
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992123874
Publication number (International publication number)：1993327019
Application date： May. 15, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 緑色より短波長の領域内の発光が得られ、かつ基板とその上の半導体層との間に歪みが生じることがなく、さらに高効率で光を発振できる半導体発光素子を提供する。【構成】 III-V族化合物半導体基板1上にII-VI族化合物半導体からなる層3、4が形成されており、さらにその上に該基板1の格子定数とほぼ同じ格子定数を有するIII-V族化合物半導体からなる層5が積層形成されている。上記II-VI族化合物半導体は、上記基板に格子整合し得る混晶比において緑色領域より短波長の領域の光を発振することが可能である。また、上記III-V族化合物半導体層5は金属である電極6との接触抵抗が小さいため、素子内へ電流が注入され易い。したがって、この半導体発光素子においては、緑色より短波長の光を高い効率で発振することができる。
Claim (excerpt)：
III-V族化合物半導体基板上に、II-VI族化合物半導体層と、該基板の格子定数とほぼ等しい格子定数を有するIII-V族化合物半導体層とがこの順に積層形成され、該III-V族化合物半導体層上に電極が形成された半導体発光素子。
IPC (2)：
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