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J-GLOBAL ID:200903067334264982

半導体薄膜の成長方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 梅田 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992106508
Publication number (International publication number):1993299780
Application date: Apr. 24, 1992
Publication date: Nov. 12, 1993
Summary:
【要約】【目的】 下地となる半導体層のキャリャ濃度を初期の設計値を維持して半導体薄膜を成長させる。【構成】 p型のドーパントとしてZnやMgをドーピングした半導体薄膜にエッチング、その他の加工を施した後、その上に半導体薄膜を再成長させる際、再成長を開始する温度に基板温度を昇温させる工程中に、p型ドーパントの金属の有機金属化合物を基板上に供給する。【効果】 下地となる半導体薄膜のキャリャ濃度の変化を抑制できる。p型層のキャリャ濃度の低下を抑制できるので、素子が高温動作する場合に活性層からp型層にオーバフローするキャリャが少なくなり、高温動作特性に優れたレーザがえられる
Claim (excerpt):
p型ドーパントをドーピングした半導体薄膜にエッチング、その他の加工を施した後、その上に半導体薄膜を再成長させる半導体薄膜の成長方法において、上記再成長を開始する温度に基板温度を昇温させる工程中に、p型のドーピングとして用いた金属の有機金属化合物の気体を基板上に供給することを特徴とする半導体薄膜の成長方法。
IPC (3):
H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
  • 特開昭63-166285
  • 特開平1-286486
  • 特開平2-022879
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