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J-GLOBAL ID：200903067351978735

非ベンゼノイド炭素系材料の製造法

Inventor： 橋詰 賢一 ,  金子 友彦 ,  大谷 杉郎
Applicant, Patent owner： 新技術事業団 ,  橋詰 賢一
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993238575
Publication number (International publication number)：1995089706
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 04, 1995
Summary：

【要約】【構成】 非ベンゼン系縮合多環芳香族化合物を電解重合し、次いで熱処理する。この方法によって炭素層面間隔d(002) 3.8Å以上の炭素系材料を得る。【効果】 二次電池電極材料、触媒等のホスト材料として有用な、面間隔の大きな炭素材が実現される。

Claim (excerpt)：

非ベンゼン系縮合多環芳香族化合物を電解重合し、次いで生成した重合化合物を熱処理することを特徴とする非ベンゼノイド炭素系材料の製造法。

IPC (4)：

C01B 31/02 101 ,  C08G 61/02 NLF ,  C25B 3/10 ,  H01M 4/02