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J-GLOBAL ID：200903067365479650

半導体用絶縁膜または平坦化膜

Inventor： 南波 洋一 ,  松井 二三雄
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 寺田 實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993282657
Publication number (International publication number)：1995135212
Application date： Nov. 11, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体の絶縁膜、平坦化膜を形成するのに、特に1〜2回の塗布により得られたSOG塗膜の形状が、エッチバック条件の最適化が可能な範囲にあり、且つ絶対段差が少ない「完全平坦化」レベルを有することまで改善された層間絶縁膜を得る。【構成】 加熱硬化させたSOG塗膜の形状が、微細配線上/幅広配線上の膜厚比が0.7〜1.0、幅の広いスペース部を含めた絶対段差の膜厚比が0.5〜1.0となる一般式(1)で示されるポリメチルシルセスキオキサン【化1】(式中、R1 はメチル基、R2 は炭素数1〜4のアルキル基及び/または水素原子を示し、nは分子量に対応する正の数である。)を使用した半導体用絶縁膜または平坦化膜。

Claim (excerpt)：

半導体パターン上に下記一般式(1)で示されるポリメチルシルセスキオキサン【化1】(式中、R1 はメチル基を、R2 は炭素数1〜4のアルキル基及び/または水素原子を示し、nは分子量に対応する正の数である。)を塗布し加熱硬化させた塗膜であって幅広配線上の膜厚に対する微細配線上の膜厚が0.7〜1.0であり絶対段差の膜厚比が0.5〜1.0であることを特徴とする半導体用絶縁膜または平坦化膜。

IPC (4)：

H01L 21/3205 ,  C09D183/04 PMS ,  H01B 3/46 ,  H01L 21/312

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体用絶縁膜等及びそれらの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-235388   Applicant：昭和電工株式会社