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J-GLOBAL ID：200903067381535889

不揮発性記憶装置およびその制御方法

Inventor：
田中 智晴

About 田中 智晴

, 
大内 和則

About 大内 和則


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996109745
Publication number (International publication number)：1997297659
Application date： Apr. 30, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：
【要約】【課題】ハードデイスクドライブと半導体ディスクドライブとを統合して、低価格、高信頼性、高性能の不揮発性記憶装置を実現する。【解決手段】統合ドライブユニット7は単一のドライブ番号が割り当てられる1つのドライブユニットであり、半導体ディスクドライブとして使用されるフラッシュメモリ6の記憶領域は統合ドライブユニット7の全記憶領域の中の一部である第1記憶領域として用いられ、残りの第2記憶領域は、フラッシュメモリ6よりも大きな記憶容量を有しているハードデイスクドライブ5の記憶領域が用いられる。したがって、これらハードデイスクドライブ5およびフラッシュメモリ6は、1つの統合ドライブユニット7内の異なる記憶領域として扱われるので、CPU1は単一のドライブ番号でハードデイスクドライブ5の記憶領域とフラッシュメモリ6の記憶領域を選択的にアクセスすることができる。
Claim (excerpt)：
単一のドライブ番号が割り当てられ、そのドライブ番号によって指定される不揮発性記憶装置において、前記不揮発性記憶装置の全記憶領域内の第1記憶領域が割り当てられ、電気的にデータの消去および書き込みが可能な不揮発性半導体記憶装置から構成される半導体ディスク装置と、前記不揮発性記憶装置の全記憶領域内における前記第1記憶領域以外の他の第2記憶領域が割り当てられた磁気ディスク装置とを具備し、単一のドライブ番号で前記第1記憶領域と前記第2記憶領域を選択的にアクセスできるように構成されていることを特徴とする不揮発性記憶装置。
IPC (2)：
G06F 3/06 301 ,  G06F 3/06
FI (3)：
G06F 3/06 301 A ,  G06F 3/06 301 J ,  G06F 3/06 301 X
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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