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J-GLOBAL ID：200903067389811010

ZnSe単結晶の製造方法およびその製造装置

Inventor： 藤川 隆男 ,  上原 一浩 ,  坂下 由彦 ,  岡田 広 ,  川中 岳穂 ,  大元 誠一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 安田 敏雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995061096
Publication number (International publication number)：1996259397
Application date： Mar. 20, 1995
Publication date： Oct. 08, 1996
Summary：

【要約】【構成】 ZnとSeとの原料をZnの比率がZnSe状態図での液相線と相転移温度との交点に対応する比率よりも大きなZnリッチとして原料収納容器に収納し、上記原料を加熱溶融した後、相転移温度より低い所定温度に保持した状態で、融液表面のZn蒸気圧を上記所定温度でのZnの平衡蒸気圧から徐々に低下させることにより、融液からZnを蒸散させながらZnSe単結晶を析出させる。【効果】 相転移温度以下に保持した状態で結晶成長が可能で、しかも、結晶成長に伴う融液中のZnの濃度は上がらず、したがって、成長速度が遅くなることはない。また、融液の組成がZn:Se=1:1となるまで結晶化を行わせることができるので、回収率が向上する。これにより、双晶欠陥の低減された良質のZnSe単結晶を成長させることが可能であると共に、生産性を向上することができる。

Claim (excerpt)：

ZnとSeとの原料をZnの比率がZnSe状態図での液相線と相転移温度との交点に対応する比率よりも大きなZnリッチとし、上記原料を加熱溶融した後、相転移温度より低い所定温度に保持した状態で、融液表面のZn蒸気圧を上記所定温度でのZnの平衡蒸気圧から徐々に低下させることにより、融液からZnを蒸散させながらZnSeを析出させることを特徴とするZnSe単結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/48 ,  C30B 11/00 ,  H01L 21/208 ,  H01L 33/00

FI (4)：

C30B 29/48 ,  C30B 11/00 Z ,  H01L 21/208 T ,  H01L 33/00 D