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J-GLOBAL ID：200903067406443976

像形成方法及び該方法を用いてデバイスを製造する方法及び該方法に用いるフォトマスク

Inventor： 吽野 靖行
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993078162
Publication number (International publication number)：1994181167
Application date： Apr. 05, 1993
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 微細パターンを結像する際の解像度を上げる。【構成】 微細スリット列を結像する際、該微細スリット列の奇数番目の微細スリット(21、23、25)からの光と偶数番目の微細スリット(22、24)からの光の偏光面が互いに直交するよう各スリットに偏光膜(121、122、123、124、125)を付ける。

Claim (excerpt)：

微細パターンの像を形成する方法において、暗部を介して隣り合う明部からの光束間の可干渉性を低減させることを特徴とする像形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G02B 3/00 ,  G03F 1/08

FI (3)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W