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J-GLOBAL ID：200903067423132623

半導体装置

Inventor： 菅原 裕彦 ,  中島 長明 ,  永田 公一
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991257084
Publication number (International publication number)：1993067772
Application date： Sep. 09, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 多層電極それ自体、及び上層の金系配線からの金の侵入を阻止し、高性能かつ高信頼性を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 電極・配線の少なくとも一部に白金及び金を用いる化合物半導体上に形成する半導体装置のうちで、白金電極上に、高融点金属またはその化合物層を、直接または金以外の金属中間層を介して積層した多層構造を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

化合物半導体上に形成された半導体装置であって、その電極・配線の少なくとも一部に白金及び金を用いる半導体装置において、白金の電極・配線上に、高融点金属またはその化合物層を、直接または金以外の金属中間層を介して積層した多層構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/205 ,  H01L 29/46 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭54-107670
  
• 特公昭62-022271
  
• 特開昭59-232422
  
• 特開昭62-259474
  
• 特開平1-198079