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J-GLOBAL ID：200903067428202883

圧電性半導体及びその製造方法

Inventor： 浅井 裕次 ,  今井 修
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 渡邉 一平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993070416
Publication number (International publication number)：1994279192
Application date： Mar. 29, 1993
Publication date： Oct. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 音響電気効果素子として用いるに適当な電気伝導度等の特性を有する圧電性半導体及びその製造方法を提供する。【構成】 ZnO単結晶を主成分とする単結晶から構成される圧電性半導体である。10-6〜10-111/Ω・cmの電気伝導度を有する。アンモニウムイオンを含有するアルカリ溶媒を用いて、ZnO単結晶を育成する。

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする単結晶から成る圧電性半導体であって、10-6〜10-111/Ω・cm(但し、10-61/Ω・cmを除く。)の電気伝導度を有することを特徴とする圧電性半導体。

IPC (3)：

C30B 29/16 ,  C30B 7/10 ,  H01L 41/18