Pat

J-GLOBAL ID：200903067428374617

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 横山 雄二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000299183
Publication number (International publication number)：2002110945
Application date： Sep. 29, 2000
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 集積度が高く、低価格で高信頼性の半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子を有する半導体基板と、その上に形成される層間絶縁膜と、層間絶縁膜を貫通し、層間絶縁膜の上面から突出するプラグと、層間絶縁膜上に形成され、プラグを囲み、プラグの上面とほぼ面一の部分を有し、層間絶縁膜とは異なるエッチング特性を有するエッチングストッパ層と、プラグ上及びエッチングストッパ層の一部上に形成される上部導電体とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体素子を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成される層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通し、該層間絶縁膜の上面から突出するプラグと、前記層間絶縁膜上に形成され、前記プラグを囲み、前記プラグの上面とほぼ面一の部分を有し、前記層間絶縁膜とは異なるエッチング特性を有するエッチングストッパ層と、前記プラグ上及び前記エッチングストッパ層の一部上に形成される上部導電体とを含む半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 21/90 A

F-Term (49)：

5F033HH04 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033TT02 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033VV16 ,  5F033XX15 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083GA25 ,  5F083JA06 ,  5F083JA32 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21 ,  5F083PR29 ,  5F083PR38 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40