Pat

J-GLOBAL ID：200903067429732436

半導体ウエハの熱処理装置

Inventor： 若宮 健志
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992022246
Publication number (International publication number)：1993217927
Application date： Feb. 07, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体ウエハの極近傍に熱電対を配置してヒータの出力制御を確実にし、半導体ウエハの均熱加熱を可能にした半導体ウエハの熱処理装置を提供しようとするものである。【構成】 処理ガス原料を収容する気密容器2と、半導体ウエハ13を装着するための支柱を固定した蓋1と、該気密容器2の周囲に配置したヒータとを有する半導体ウエハ13の熱処理装置において、上記蓋1を貫通して上記支柱に熱電対挿入用開口を設け、該開口に熱電対12を挿入したことを特徴とする半導体の熱処理装置である。

Claim (excerpt)：

処理ガス原料を収容する気密容器と、半導体ウエハを装着するための支柱を固定した蓋と、該気密容器の周囲に配置したヒータとを有する半導体ウエハの熱処理装置において、上記蓋を貫通して上記支柱に熱電対挿入用開口を設け、該開口に熱電対を挿入したことを特徴とする半導体の熱処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/22 ,  C30B 33/02