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J-GLOBAL ID：200903067430618310

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993079046
Publication number (International publication number)：1994268259
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 p型結晶とオーミック接触が得られる窒化ガリウム系化合物半導体の構造を提供することによりVfを低下させ、発光効率を向上させるとともに、新規なダブルヘテロ構造の発光素子の構造を提供することにより、発光素子の発光出力を向上させる。【構成】 p-n接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Mgがドープされたp型Ga<SB>1-X</SB>Al<SB>X</SB>N(但し、Xは0<X<0.5)クラッド層の上に、電極が形成されるべき層として、Mgがドープされたp型GaNコンタクト層を具備する。

Claim (excerpt)：

p-n接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Mgがドープされたp型Ga<SB>1-X</SB>Al<SB>X</SB>N(但し、Xは0<X<0.5)クラッド層の上に、電極が形成されるべき層として、Mgがドープされたp型GaNコンタクト層を具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18