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J-GLOBAL ID：200903067439922365

成膜方法

Inventor： 波多野 達夫 ,  山崎 英亮
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002322924
Publication number (International publication number)：2004156104
Application date： Nov. 06, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：

【課題】金属カルボニルを用いて、分解ガスによる悪影響を生じさせずに金属膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。【解決手段】W(CO)6のような金属カルボニルガスを用いて被処理基板上に所定の金属膜、例えばW膜を形成するにあたり、真空チャンバーに被処理基板を搬入し(工程1)、被処理基板を金属カルボニルガスの分解可能温度に加熱し(工程2)、被処理基板に対する金属カルボニルガスの供給と金属カルボニルガスが分解して生成したCOガス等の分解ガスの除去とを交互的に行う(工程4)。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

金属カルボニルガスを用いて被処理基板上に所定の金属膜を形成する成膜方法であって、 真空チャンバーに被処理基板を搬入する工程と、 被処理基板を金属カルボニルガスの分解可能温度に加熱する工程と、 前記被処理基板に対する前記金属カルボニルガスの供給と金属カルボニルガスが分解して生成した分解ガスの除去とを交互的に行う工程と を具備することを特徴とする成膜方法。

IPC (2)：

C23C16/16 ,  H01L21/285

FI (2)：

C23C16/16 ,  H01L21/285 C

F-Term (21)：

4K030AA12 ,  4K030BA01 ,  4K030BA20 ,  4K030CA04 ,  4K030EA00 ,  4K030JA00 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45