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J-GLOBAL ID：200903067456182600
アクティブマトリクス基板の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993310686
Publication number (International publication number)：1995162007
Application date： Dec. 10, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】 液晶表示装置の低消費電力化を図ることができるアクティブマトリクス基板を簡略化されたプロセスで安価に製造する。【構成】 ITOからなるソース電極105およびドレイン電極106に選択的にリンイオンを注入する。その上にa-Si膜107を形成してリンイオンを拡散することにより、ソース電極105上に第1のn+a-Siコンタクト層108が自己整合的に形成され、ドレイン電極106上に第2のn+a-Siコンタクト層109が自己整合的に形成される。ITOからなる絵素電極にはリンイオンが注入されないので、絵素電極の透過率が低下することはない。
Claim (excerpt)：
絵素電極がマトリクス状に形成された絵素電極を制御する薄膜トランジスタが、ソース電極およびドレイン電極の各々の上にn+アモルファスシリコンコンタクト層が形成され、一方のコンタクト層の上から他方のコンタクト層の上にわたる領域にアモルファスシリコン膜が形成され、該アモルファスシリコン膜の上に、間にゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられた構成となっているアクティブマトリクス基板の製造方法において、絶縁性基板上に、各々が透明導電膜からなる該絵素電極、該ソース電極および該ドレイン電極を形成する工程と、該ソース電極およびドレイン電極に選択的にリンイオンを注入する工程と、リンイオンが注入されたソース電極およびドレイン電極を覆ってアモルファスシリコン膜を形成し、該アモルファスシリコン膜にリンを拡散させることにより、n+アモルファスシリコンコンタクト層を自己整合的に形成する工程とを含むアクティブマトリクス基板の製造方法。
IPC (4)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/13 101
, G02F 1/136 500
