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J-GLOBAL ID：200903067459623046

液晶表示装置およびその製造方法

Inventor： 渋沢 誠 ,  カッカド ラメシュ ,  本城 益司 ,  三浦 靖憲 ,  神内 紀秀
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 樺澤 襄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995068352
Publication number (International publication number)：1996262493
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 自己整合型で製造工程を簡略化するとともに、オン特性を低下させない液晶表示装置を提供する。【構成】 ガラス基板21にゲート電極22、酸化シリコン(SiO)のゲート絶縁膜23を形成する。ゲート絶縁膜23のゲート電極22の上方に、高抵抗i型アモルファスシリコン層24を形成するとともに、ソース領域およびドレイン領域の低抵抗n型多結晶a-Si層25,26を形成する。低抵抗n型多結晶a-Si層25,26上に、5族元素のアンチモンの導電体層27を介して、表示画素電極を構成する透明導電膜28を形成する。低抵抗n型多結晶a-Si層25,26上に、ソース電極29、ドレイン電極30を形成し、保護絶縁膜31を形成して、薄膜トランジスタ32を形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板の一主面上に形成された第1の金属層、この第1の金属層を含む絶縁性基板上に形成された第1の絶縁膜、この第1の絶縁膜上の前記第1の金属層に対応した領域に形成された高抵抗i型アモルファスシリコン層、前記第1の絶縁膜上の前記高抵抗i型アモルファスシリコン層に隣接する領域に形成された5族元素を含む低抵抗n型多結晶シリコン層、この低抵抗n型多結晶シリコン層上の一部にその一端面が前記低抵抗n型多結晶シリコン層の端面に対応して形成された前記5族元素を含む導電体層、該導電体層に少なくとも一部が積層して形成されたITOからなる透明導電膜、この透明導電膜に一部が積層して形成された第2の金属層、および、これらの上面に形成された第2の絶縁膜を有する薄膜トランジスタと、前記透明導電膜および前記第2の金属層の二層により構成された前記薄膜トランジスタのドレイン電極に対応するドレイン配線およびソース電極と、前記透明導電膜にて形成され前記薄膜トランジスタに対応して設けられた表示画素電極とを具備したことを特徴とする液晶表示装置。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 616 U