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J-GLOBAL ID：200903067472012579
半導体レーザ装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996201448
Publication number (International publication number)：1998051071
Application date： Jul. 31, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：
【要約】【課題】 半導体レーザ装置は、トラッキングビームの戻り光による干渉の問題により、出射端面上の戻り光が戻ってくる部分には低反射膜が形成されている。しかしながら、未だ、誘電体膜の膜厚の制御性がよく、多数本のバーを一括して製造できる作業効率の高い製造方法が確立していないという問題があった。【解決手段】 誘電体膜を形成した半導体レーザ装置を、共振器端面を側面とするように支持台の上に並べる。次に、レジストを滴下、スピンコーティングすることによって、共振器端面にレジスト膜を円弧状に形成し、レジスト膜を膜減りさせることによって誘電体膜を1部分露呈させる。露呈させた部分の誘電体膜をエッチングし、その後、誘電体膜を全面に形成することで、半導体レーザ装置が得られる。
Claim (excerpt)：
半導体レーザ装置の共振器端面に第1の誘電体膜を形成する工程と、前記半導体レーザ装置の共振器端面を側面とする方向に前記半導体レーザ装置を支持台の上に保持する工程と、前記共振器端面にレジスト膜を前記支持台と前記共振器端面との間に所定形状に形成する工程と、前記レジスト膜を膜減りさせることによって前記共振器端面上の前記レジスト膜を一部分除去する工程と、前記レジスト膜を除去した部分の前記誘電体膜をエッチングする工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、前記共振器端面の全面に第2の誘電体膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
IPC (2)：
FI (3)：
H01S 3/18
, H01L 21/30 502 W
, H01L 21/30 569 F
