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J-GLOBAL ID：200903067475691485

半導体構造体および半導体発光素子

Inventor： 中津 弘志
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993315618
Publication number (International publication number)：1995169993
Application date： Dec. 15, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 素子特性の安定性、再現性を損なうことなく、外部への光取り出し効率を向上させることができるように作製できる構造の半導体構造体およびこの構造を有する半導体発光素子を提供する。【構成】 n型GaAs基板1表面上に、(011)面から[0-11]方向に傾斜したメサ型溝11が形成されている。この基板1表面上に形成される半導体層は、メサ型溝11の上部の領域に形成されたものと、それ以外の領域に形成されたものとでは結晶の秩序度が異なり、この秩序度の違いに基づくpn接合の立ち上がり電圧差が生じる。従って、半導体層側のp型電極7をメサ型溝11に対応する領域に設けると、p型電極7直下以外の部分の半導体層に選択的に電流を注入して発光領域とすることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に、半導体層が積層されてなる半導体構造体において、該基板の該半導体層が形成された面に、第1の領域と、該第1の領域とは面方位が異っている2つの第2の領域とが、該第1の領域を挟んで該第2の領域が存在する状態で設けられている半導体構造体。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レ-ザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-298229   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-225362   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-330786