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J-GLOBAL ID：200903067487845470
半導体レーザ素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
齋藤 義雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991357766
Publication number (International publication number)：1993048202
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 閾値電流の低下、θ⊥/θ‖の比の低下、リッジストライプ幅の狭小化、温度特性の改善をはかることのできる半導体レーザ素子を提供とする。【構成】 半導体基板11上に、活性層14を含むダブルヘテロ構造が順次積層されて、導波路用のリッジ部が形成されている半導体レーザ素子において、半導体基板11と活性層14との間に、電流阻止層12を主体にした電流狭窄構造が設けられているから、活性層14のリッジ部側だけでなく、活性層の基板側においても電流が狭窄されることとなり、電流の閉じ込め効果が改善される。リッジ部の両側が樹脂層19で埋め込まれている場合、リッジストライプ幅を小さくすることができ、素子の放熱特性もよくなる。活性層14が二層からなり、両活性層14の間に中間クラッド層を有するDCC構造が介在されている場合、θ⊥/θ‖の比を小さくすることができ、温度特性も安定する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、活性層を含むダブルヘテロ構造が順次積層されて、導波路用のリッジ部が形成されている半導体レーザ素子において、半導体基板と活性層との間に、電流狭窄構造が設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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