Pat

J-GLOBAL ID：200903067504430939

低圧縮性窒化炭素

Inventor： テター,デビッド,エム. ,  ヘムリイ,ラッセル,ジェイ.
Applicant, Patent owner： カーネギー インスチチューション オブ ワシントン
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997525207
Publication number (International publication number)：2001526618
Application date： Dec. 19, 1996
Publication date： Dec. 18, 2001
Summary：

【要約】ダイヤモンドの無圧体積弾性率を越える無圧体積弾性率を有する立方晶形C3N4。120,000〜800,000気圧の圧力下1000〜3000°Cの温度で、炭素と窒素とを一緒にすることを含む、このような生成物の製法。炭素粒子を液体窒素中に浸漬させ、この混合物をレーザービームによって加熱した後に、急冷することができる。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドの無圧体積弾性率を越える無圧体積弾性率を有する立方晶形C3N4。

IPC (2)：

C01B 21/082 ,  B01J 3/06

FI (2)：

C01B 21/082 K ,  B01J 3/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化炭素薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-294807   Applicant：電気化学工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Carbon nitride films produced by high-energy shock plasma deposition
• Initial description of a new carbon-nitride phase synthesized at high pressures and temperatures