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J-GLOBAL ID：200903067505426706

半導体レーザ変調回路装置

Inventor： 本多 芳三 ,  太田 裕之 ,  沖 十九康
Applicant, Patent owner： 株式会社テラテック
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993269204
Publication number (International publication number)：1995122808
Application date： Oct. 27, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 寄生インダクタンスを低下でき、半導体レーザを高周波で変調できる半導体レーザ変調回路装置を提供する。【構成】 半導体レーザ1の電極を伝送路51,52に接続する手段として、ヒートシンク2の金属面を用いて直接接続し、金属ワイヤを不要とする。さらに、半導体レーザ1の上部電極と伝送路51とを、半導体レーザ1の上部電極とほぼ同じ高さの金属ブロック31を介して、金属ワイヤ32により接続するので、金属ワイヤの長さが短くでき、かつ、半導体レーザの上部電極に作用する応力の影響が小さいため、金属ワイヤの断面積を大きくできる。

Claim (excerpt)：

上部電極と下部電極を有する半導体レーザと、前記半導体レーザに接するヒートシンクと、前記半導体レーザの上部電極に一端が電気的に接続される第1の伝送路と、前記半導体レーザの下部電極に一端が電気的に接続される第2の伝送路とを具備する半導体レーザ変調回路装置において、前記ヒートシンクは前記半導体レーザの下部電極に電気的に接続された金属面を有し、前記第2の伝送路は前記金属面を介して前記半導体レーザの下部電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体レーザ変調回路装置。