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J-GLOBAL ID：200903067507278917
半導体発光装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
樺山 亨 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991176855
Publication number (International publication number)：1993347430
Application date： Jul. 17, 1991
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】600dpi以上のような高密度に発光部を形成でき、ワイヤーボンディングによる発光素子へのダメージを生じなくする。【構成】 モノリシックに複数個、少なくとも一列配置して、発光部2が半導体基板1上に形成されている。発光部2の発光層に対して半導体基板1と反対側に形成された個別電極16と、外部の駆動回路に対して電気的な接続をとるために、半導体基板1側の面上に形成されたボンディングパット4の間を、配線3で電気的に接続されている。その配線3は、発光部2の端面のうち、光出射方向とは反対側の絶縁性誘電体膜18をはさんでボンディングパット4に近い側の一方の後端面上を含んでおり、金属材料を用いて構成されている。
Claim (excerpt)：
モノリシックに複数個、少なくとも一列配置してなる端面発光型半導体発光素子アレイ構造を有する半導体発光装置において、前記端面発光型半導体発光素子の発光層に対して半導体基板と反対側に形成された個別電極と、外部の駆動回路に対して電気的な接続をとるために、前記端面発光型半導体発光素子の前記発光層に対して前記半導体基板側の面上に形成されたボンディングパットの間を、前記端面発光型半導体発光素子の端面のうち、光出射方向とは反対側の絶縁性誘電体膜をはさんで上記ボンディングパットに近い側の一方の後端面上を含んで、金属材料を用いて電気的に配線接続した構造を持つことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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