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J-GLOBAL ID：200903067509033571

水素吸蔵合金電極材料の製造方法

Inventor： 嘉山 美穂 ,  辻 庸一郎 ,  岡田 行広
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 石井 和郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001174951
Publication number (International publication number)：2002367609
Application date： Jun. 11, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 AB5型で比較的低容量の水素吸蔵合金を原料として用い、合金容量を維持しつつ、高率放電特性に優れた水素吸蔵合金電極材料を製造する方法を提供する。【解決手段】 CaCu5型の結晶構造を有するAB5型水素吸蔵合金からなる核合金の表面に水酸化ニッケルを付与する第一工程、ならびに表面に水酸化ニッケルを有する核合金を、減圧下または還元雰囲気中で加熱することにより、核合金と水酸化ニッケル中のニッケルとを反応させ、核合金の表層部にニッケルを含む層を形成する第二工程を有することを特徴とする水素吸蔵合金電極材料の製造方法。

Claim (excerpt)：

CaCu5型の結晶構造を有するAB5型水素吸蔵合金からなる核合金の表面に水酸化ニッケルを付与する第一工程、ならびに表面に水酸化ニッケルを有する核合金を、減圧下または還元雰囲気中で加熱することにより、核合金と水酸化ニッケル中のニッケルとを反応させ、核合金の表層部にニッケルを含む層を形成する第二工程を有することを特徴とする水素吸蔵合金電極材料の製造方法。

IPC (5)：

H01M 4/38 ,  B22F 1/02 ,  B22F 5/00 ,  H01M 4/24 ,  H01M 4/52

FI (5)：

H01M 4/38 A ,  B22F 1/02 F ,  B22F 5/00 K ,  H01M 4/24 J ,  H01M 4/52

F-Term (16)：

4K018AA08 ,  4K018BC28 ,  4K018BD07 ,  4K018KA38 ,  5H050AA02 ,  5H050BA14 ,  5H050CA03 ,  5H050CB02 ,  5H050CB17 ,  5H050GA02 ,  5H050GA14 ,  5H050GA27 ,  5H050HA01 ,  5H050HA02 ,  5H050HA14 ,  5H050HA20