Pat

J-GLOBAL ID：200903067522836896

堆積膜形成方法および堆積膜形成装置

Inventor： 岡部 正太郎 ,  金井 正博 ,  藤岡 靖 ,  酒井 明 ,  芳里 直 ,  越前 裕 ,  杉山 秀一郎
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002256842
Publication number (International publication number)：2003183835
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 03, 2003
Summary：

【要約】【目的】大面積の基板上に、高品質の堆積膜を連続かつ特性のばらつきなく形成できるようにする。【構成】放電容器205内に、円形誘電体窓204の表面に垂直であってかつマイクロ波の進行方向および基板201の表面に平行な部分を有するT字形の棒状部と、この棒状部の先端部に設けられ誘電体窓204の表面に平行である円板部とからなるバイアス電極206を設ける。マイクロ波の波長をλとするとき、円板の直径φが、λ/10≦φ≦λ/6を満たすようにする。

Claim (excerpt)：

マイクロ波電源に接続する方形導波管と一端が前記方形導波路に接続する円形導波管と前記円形導波管の他端に設けられた円形誘電体窓とから少なくともなるマイクロ波導入手段と、基板に対向する開口部を備え前記マイクロ波導入手段からマイクロ波が導入される放電容器とを有する堆積膜形成装置を使用し、前記基板上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記円形誘電体窓の表面に垂直であってかつ前記マイクロ波の進行方向および前記基板の表面に平行な部分を有するT字形の棒状部と、前記棒状部の先端部に設けられ前記誘電体窓の表面に平行である円板部とからなるバイアス電極を前記放電容器内に設け、前記マイクロ波の波長をλとするとき前記円板の直径φが、λ/10≦φ≦λ/6を満たすようにすることを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (3)：

C23C 16/511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (3)：

C23C 16/511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 T

F-Term (33)：

4K030BA30 ,  4K030BB05 ,  4K030FA01 ,  4K030JA16 ,  4K030KA20 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  4K030LA16 ,  5F045AA09 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE15 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045BB08 ,  5F045CA13 ,  5F045DP05 ,  5F045DP22 ,  5F045EH04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA12 ,  5F051BA14 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA17 ,  5F051CA22 ,  5F051CA23 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051GA02