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J-GLOBAL ID:200903067524386197

固体状イオン伝導体とその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長門 侃二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998373439
Publication number (International publication number):2000195552
Application date: Dec. 28, 1998
Publication date: Jul. 14, 2000
Summary:
【要約】【課題】 イオン伝導率が高い固体状イオン伝導体とその製造方法を提供する。【解決手段】 内部に連通孔1aが形成されている多孔質芯材1と、連通孔1aに充満している電解液2と、前記多孔質芯材1の少なくとも片面を被覆して形成されたゲル状電解質の固化膜3とから成る固体状イオン伝導体。
Claim (excerpt):
内部に連通孔が形成されている多孔質芯材と、前記連通孔に充満している電解液と、前記多孔質芯材の少なくとも片面を被覆して形成されたゲル状電解質の固化膜とから成ることを特徴とする固体状イオン伝導体。
IPC (3):
H01M 10/40 ,  H01B 1/06 ,  H01M 6/18
FI (3):
H01M 10/40 B ,  H01B 1/06 A ,  H01M 6/18 E
F-Term (30):
5G301CA16 ,  5G301CD01 ,  5G301CE10 ,  5H024AA02 ,  5H024AA12 ,  5H024BB01 ,  5H024BB08 ,  5H024FF14 ,  5H024FF19 ,  5H024FF23 ,  5H024FF31 ,  5H024GG01 ,  5H029AJ02 ,  5H029AJ05 ,  5H029AJ06 ,  5H029AJ14 ,  5H029AK03 ,  5H029AL12 ,  5H029AM00 ,  5H029AM03 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029AM16 ,  5H029BJ03 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ11 ,  5H029CJ13 ,  5H029CJ22 ,  5H029DJ04 ,  5H029DJ13

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