Pat

J-GLOBAL ID：200903067527993396

窒化物半導体発光素子とこれを含む装置

Inventor： 津田 有三 ,  伊藤 茂稔
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001000069
Publication number (International publication number)：2002204035
Application date： Jan. 04, 2001
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 窒化物半導体発光素子の発光寿命や発光強度などを改善するとともにクラックの発生を防止する。【解決手段】 窒化物半導体発光素子において、窒化物半導体基板の一主面上のマスクパターンはその上に窒化物半導体層が成長しにくい成長抑制膜からなり、この成長抑制膜が形成されていない複数の窓部が存在し、互いに隣接する窓部間のマスク幅として2以上の異なる幅が存在していて、マスクパターンはマスクA群とその両側に配されたマスクB群とを含み、マスクA群のマスクA幅はマスクB群のマスクB幅より広く、窓部とマスクパターンを覆う窒化物半導体下地層と、この下地層上でn型層とp型層との間に量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層とを含む発光層を含む発光素子構造をさらに含み、この発光層内に実質的に電流が注入される電流狭窄部はマスクAの上方に形成されている。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体基板の一主面上に形成されたマスクパターンを含むマスク基板を含み、前記マスクパターンはその上に窒化物半導体層がエピタキシャル成長しにくい成長抑制膜からなり、前記成長抑制膜が形成されていない複数の窓部が存在し、互いに隣接する前記窓部間のマスク幅として少なくとも2以上の異なる幅が存在していて、前記マスクパターンはマスクA群とB群とを含み、前記マスクA群の両側に前記マスクB群が配置され、前記マスクA群におけるマスクA幅は前記マスクB群におけるマスクB幅より広く設定されており、前記窓部および前記マスクパターンを覆う窒化物半導体下地層と、前記下地層上でn型層とp型層との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層とを含む発光層を含む発光素子構造をさらに含み、前記発光層内に実質的に電流が注入される領域である電流狭窄部は前記マスクAの上方に形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (3)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (39)：

5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB05 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA55 ,  5F045DA67 ,  5F045DB04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB17 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA32 ,  5F073EA28