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J-GLOBAL ID：200903067530039881

半導体装置の製造方法

Inventor： 阿部 知行
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995169499
Publication number (International publication number)：1997022883
Application date： Jul. 05, 1995
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】【目的】めっき前処理及びめっき廃液処理等の煩雑な工程が不要で、容易に表面電極を形成できる半導体装置の製造方法、並びに、接着性、熱伝導性、オーミック接合性及び熱応力吸収性が良好なダイボンディングが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】導体パターン2の電極を形成すべき領域上にニッケル膜6を形成し、それ以外の領域に銅膜7を形成する。その後、粒径が約10nmの金の超微粒子を有機溶媒中に分散させてなるペーストを基板5上に塗布した後、約300°Cで熱処理し、溶媒を揮発させると共に金の超微粒子を焼成して、金膜9を形成する。次いで、粘着テープ11を貼付した後、これを剥離する。そうすると、銅膜7上の金膜9は粘着テープ11に付着した状態で除去され、ニッケル膜6上の金膜9のみが残存する。また、ダイボンディング工程においては、前記ペーストを使用して、半導体チップをボンディングランドに接合する。

Claim (excerpt)：

基板表面の電極を形成すべき領域に第1の膜を形成し、電極を形成しない領域に第2の膜を形成する工程と、金属超微粒子を溶媒中に分散させてなるペーストを前記第1及び第2の膜上に塗布しペースト膜を形成する工程と、熱処理により前記ペースト膜中の溶媒を除去すると共に前記金属超微粒子の焼成物からなる金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に粘着テープを貼着する工程と、前記粘着テープを剥離して、前記第2の膜上の前記金属膜を前記粘着テープに付着させた状態で除去し、前記金属膜を前記第1の膜上にのみ残存させる工程とを有し、前記第2の膜の前記金属膜に対する密着力は前記粘着テープの前記金属膜に対する密着力よりも弱く、前記第1の膜の前記金属膜に対する密着力は前記粘着テープの前記金属膜に対する密着力よりも強いことを特徴とする半導体装置の製造方法。